SK Hynix, bölümdeki en yüksek katman sayısına ulaşarak 238 katmana sahip 3D NAND yongaların üretimine başlayacağını duyurdu. Yeni 512 Gb (64 GB) çiplerle inşa edilen eserlerin epeyce ucuz olacağı söyleniyor. Ayrıyeten 238 katmanlı 512 Gb 3D NAND tabanlı eserler, çok sayıda katmana sahip flash belleklerin üretimi konusunda SK Hynix’in çok şey öğrenmesini sağlayacak.
İlk 3D NAND (veya 4D NAND olarak adlandırılabilir) yongalar, üç düzeyli hücre (TLC) mimarisine, 512 Gb (64 GB) kapasiteye ve 2400 MT/sn arayüz suratına (önceki kuşağa nazaran %50 artış) sahip. Ek olarak, yeni NAND depolama eserleriyle okuma sırasında güç tüketimi %21 oranında düşecek. Bu da taşınabilir PC’ler ve akıllı telefonlar için bir avantaj olacak.
SK Hynix’in geliştirdiği yeni depolama üniteleri, charge trap flash (CTF) dizaynının yanı sıra şirketin resmi olarak ‘4D’ NAND olarak isimlendirdiği hücre altı etraf ünitesi (PUC-peripheral under cells) sistemine sahip. PUC, üreticinin aygıtları biraz daha küçülterek NAND belleğin maliyetlerini düşürmesine imkan tanıyor.
512 Gb (64 GB) kapasiteli yongalar, süratli ve ortaya düzeyde yer alan SSD’ler üretme konusunda 1 Tb (128 GB) 232 katmanlı 3D NAND IC’lere nazaran belli avantajlar sağlayabilir. Sekiz 512 Gb 3D NAND ünitesiyle birlikte 512 GB kapasiteli şoförler inşa etmek mümkün. Böylece sekiz NAND kanalının tümü aktifleşiyor ve nispeten düşük bir maliyetle mümkün olan azamî paralellik ve performans sağlanabilir.
SK Hynix, 2023’ün birinci yarısında 238 katmanlı 4D TLC NAND eserlerin seri üretimine başlamayı planlıyor. Hatırlarsanız Micron, sırf birkaç gün öncesine kadar 232 katmanlı NAND teknolojisiyle liderliği ele almıştı. Koltuğun el değiştirmesi ise uzun sürmedi.