Samsung 200 den fazla katmana sahip olacak katı hal depolama aygıtları için daha yüksek performans Escort Manavkuyu ve bit yoğunlukları sağlayacak 8 Jenerasyon V NAND belleklerin seri üretimine başlayacağını duyurdu Teknoloji devi aslında 2013 yılında 24 katmanlı V NAND flash yongalarıyla birlikte rakiplerinden öndeydi Başka şirketlerin yetişmesi Manavkuyu escort vakit aldı fakat artık birçok bellek üreticisi yüksek katmanlı yongalar sunabiliyor
Micron 232 katman SK Hynix ise 238 katmanlı 3D TLC NAND çipleriyle Samsung un önüne geçmişti Fakat Güney Koreli Manavkuyu escort Bayan dev yerinde durmuyor ve 236 katmanlı 3D NAND V NAND markalı teknolojisi için toplu üretime başlıyor
Bugün Samsung un 7 Kuşak V NAND teknolojisi aslında 2 0 GT s ye kadar arayüz suratları sunuyor Şirketin yeni jenerasyon ile arayüz suratını daha da artırmasını bekliyoruz Ayrıyeten program blok boyutuyla birlikte NAND performansının artması ve okuma sürecindeki gecikmelerin azalması olası Fakat ne yazık ki şirket kesin özellikleri sağlamadı
Artan NAND katmanı bazen flash bellek ölçeklendirmesinin kolay bir yolu olarak kabul edilse de durum her vakit bu türlü değil NAND katmanlarını daha ince ve hasebiyle daha küçük hücreler yapmak ve bitleri daha emniyetli halde depolamak için yeni gereçler kullanmak gerekir Ayrıyeten yüzlerce katmanı aşındırmak sıkıntı olduğundan 3D NAND üreticilerinin yüzlerce katmanla 3D NAND oluşturmak için dizi istifleme string stacking tekniklerini benimsemesi gerekiyor Samsung 176 katmanlı V7 NAND ile dizi istiflemeyi şimdi benimsemedi fakat teknolojinin 236 katmanlı V8 NAND için kullanılıp kullanılmayacağı şimdi muhakkak değil