Samsung, Gate-All-Around (GAA) süreç tekniğiyle birlikte 3nm üretim teknolojisini kullanarak yonga üretimine başladığını duyurdu. 3nm süreci, 5nm sürecine kıyasla %45 azaltılmış güç kullanımı, %23 geliştirilmiş performans ve %16 daha küçük yüzey alanı sağlayacak. İkinci jenerasyon 3nm sürecinde ise bu kıymetler sırasıyla %50, %30 ve %35’e yükseltilecek.
FinFET için sonların sonuna gelen Koreli yarı iletken üreticisi, birinci kere uygulanan GAA teknolojisi olan Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) ile birlikte performans hudutları aşmayı hedefliyor. Yeni teknikle birlikte besleme voltajı düzeyi azaltılırken güç verimliliği bir üst noktaya çıkıyor. Tıpkı vakitte şoför akımı kapasitesiyle birlikte performans da artıyor.
Samsung, 3GAE çok istikametli alan tesirli transistörlerini (GAAFET’ler) çok köprülü kanal alan tesirli transistörler (MBCFET’ler) olarak markalıyor. Transistörlerin düşük kaçak akımı, kapı artık dört taraftan kanal tarafından çevrelendiğinden ötürü kilit özelliklerden biri olarak ön plana çıkıyor. Öteki bir avantaj ise kanallarda kalınlığın performansı artırmak ve güç tüketimini azaltmak için düzenlenebilir halde olması.
‘İlk üretim’ terimi farklı yorumlanabilir. Özetle, yarı iletken devi şu anda seri üretimin erken bir başlangıç etabında. Lakin her ne olursa olsun, Samsung Foundry, resmi olarak gate-all-around (GAA) transistörlere sahip dünyanın birinci çip üreticisi olarak markalaştırılabilir.